убрав из схемы запертый транзистор и заменив его со стороны базы генератором тока / о- Когда напряжение Uc проходит через нуль, открывается второй транзистор, поскольку насыщенный транзистор Tl считается точкой и можно принять иь ~ Uc- После отпирания транзистора Тг транзистор Tj быстро выходит из насыщения и начинается регенерация, в результате которой получается исходное состояние транзисторов. Однако состояние схемы в целом при этом отличается от исходного, так как напряжение на конденсаторе С после второго опрокидывания близко к нулю и лишь через некоторое время станет равным исходному значению. Соответственно потенциалы Ut%, Uki лишь постепенно приходят к начальному значению. Этот этап переходного про-

и 01

/? 2

Выход Тг

±

Рис. 19-1. Принципиальная схема одновибратора с эмиттерной связью.

Рис. 19-2. Временные диаграммы напряжений в одиовибраторе при коротком спусковом импульсе.

цесса, называемый этапом восстановления, играет значительную роль в работе одиовибраторов. До полного восстановления схема при поступлении очередного импульса либо выдает уменьшенный и укороченный импульс, либо вообще ие срабатывает.

Потенциал Ut\ во время выдержки Т меняется пренебрежимо мало, так как он определяется сравнительно низкоомиыми сопротивлениями /?2 и др.), на которых небольшой ток перезаряда конденсатора не дает заметного падения напряжения.

Статический расчет. Исходный потенциал второго транзистора определяется формулой узлового напряжения (15-11а):

{gK2 + g)

(19-1)

Значениями U и обычно задаются в начале расчета, как и в случае триггера с эмиттерной связью. При выборе Uj- руководствуются очевидным условием

а при выборе /?к2 - соотношением (18-6).

Токи и /,(2 выражаются соотношениями -

подставляя их в условие насыщения 262 > кг. легко получить следующее ограничение на величину R:

R<Mk2- {!S-3)

НераЬенство (19-3) ие должно быть сильным во избежание глубокого насыщения. Поэтому, как правило, R /?к2- Тогда, пренебрегая в формуле (19-1) проводимостью g, можно получить для сопротивления Rg.

Rg 7 /?к2- (19-4)

Делитель напряжения Ri, R2 рассчитывается из условия \ Uq \ <, \Ug\ = = \ Uj-\, сце Uq - потенциал t/j в исходном состоянии

Выразив потенциал Uq с учетом тока 1щ в базе запертого транзистора Ti, получим:

Отсюда легко определить необходимое отношение R/Ri.

Выражение (19-5) показывает, что с точки зрения температурной стабильности желательно иметь Ri, а значит, и делитель в целом достаточно низкоом-ными. Для кремниевых транзисторов такое ограничение несущественно.

Нетрудно убедиться, что потенциал Uj- после срабатьшаиия одновнбратора несколько меньше и, поскольку через делитель протекает ток базы. Полагая для простоты

И используя условие насьпцения к/эх > / можно получить приближенное выражение для выбора сопротивления ri.

i?Kl>a (19-6)

(коэффициент 1 положен равным единице). Неравенство (19-6) следует выполнять с достаточным запасом.

Время выдержки и его стабильность. Процессом, определяющим время выдержки, является перезаряд конденсатора С. Подставим в выражение для заряда емкости

и, (t) = и, (оо) + [U, (0) - и, (со)] е

начальное и конечное значения напряжения Uc-

/с(0) = (£к-/ко/?к1)-/г2;

UAco) = -m + I,oR)-Uri].

Полагая Uc (Т) = О, легко найти время выдержки Т в следующем общем виде:

Здесь постоянная времени приблизительно равна:

XiCR.

Более строго к величине R следовало бы добавить эквивалентное сопротивление Ri II Ri II R, подключенное к узловой точке Tl.

Формулу (19-7а) целесообразно упростить, учитывая обычно выполняющиеся соотношения /? и f/n < Utz Е. Такое упрощение позволяет получить более наглядное выражение, по форме совпадающее с выражением для полупериода в мультивибраторе:

ТяС/?1п±. (19-76)

Здесь, как и в мультивибраторе, & - фактор теплового тока, определяемый формулой (18-3). Считая фактор & малым, можно еще больше упростить выражение для Т, разложив логарифм в ряд с точностью до членов первого порядка относительно Тогда получим выражение, аналогичное 18-56):

TCR(ln2~~y (19-7В)

Задавшись фактором легко найти сопротивление R из определения (18-3), соблюдая, конечно, условие (19-3). После этого из выражений (19-7) находят необходимую емкость С.

Уменьшение времени выдержки достигается уменьшением емкости. Однако минимальное значение последней должно удовлег-ворять условию (18-6). Подставим С из (18-6) в (19-7) и положим & = 0. Тогда минимальное время выдержки будет определяться отношением Это отношение, как увидим ниже, невыгодно делать малым из-за роста времени восстановления. С другой стороны, согласно (19-3) оно не может превышать 3.2. Поэтому типичным значением можно считать R/R = 10 20, как и в случае мультивибратора. Тогда связь между минимальным временем выдержки и постоянной времени принимает следующий вид:

Т , = (20--40)т . (19-8)

Это соотношение полезно для оценки возможностей данного типа транзистора или подбора необходимого типа. Для дрейфовых транзисторов такое соотношение действительно только тогда, когда есть возможность соответственно уменьшить (см. § 16-5). В противном случае минимальное время выдержки будет в несколько раз, а нередко и иа порядок больше, чем следует из (19-8).

Относительно температурной стабильности времени выдержки можно сделать те же замечания, что и в случае мультивибратора (см. § 18-1).

Время восстановления. Потенциал транзистора Tg непосредственно после обратного опрокидывания легко найти, учитывая, что в этот момент С/с - О и, следовательно, /?,а и R соединены